（来源：SEMI）
据韩媒报道，近日，三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5，并首次公开推出了HPB（Heat Pass Block，导热块）散热方案。
据悉，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产，而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。三星电子首席技术官宋载赫指出，该技术已在HBM4E芯片中得到应用和验证，其可靠性和稳定性均已得到充分验证。
三星电子首席技术官宋载赫声称，通过增加一个类似烟囱结构的独立传热路径，公司降低了芯片运行温度，提高了运行稳定性，预计未来它将在高带宽、高密度人工智能环境下，对提升下一代HBM的性能和系统效率发挥关键作用。
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据天眼查APP显示，近日，上海硅产业集团股份有限公司（简称“沪硅产业”）发生工商变更，注册资本由约27.5亿人民币增至约33.1亿人民币，增幅约20%。
资料显示，该公司成立于2015年12月，法定代表人为姜海涛，经营范围包括硅材料行业投资、集成电路行业投资、创业投资等，由上海国盛（集团）有限公司、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、上海嘉定工业区开发（集团）有限公司等共同持股。
澳洲标普200指数收盘跌0.61%报9026点。新西兰标普50指数收盘涨0.84%报13420.43点。
据其披露的2025年年度报告，2025财年内，沪硅产业各子公司分别启动多项重点建设项目，聚焦300mm及200mm半导体（881121）硅片的技术能力提升与产能扩容，在300mm SOI硅片领域取得阶段性突破，主要产品已完成关键技术研发，进入量产落地与市场验证阶段。据天眼查APP显示，近日，上海硅产业集团股份有限公司（简称“沪硅产业”）发生工商变更，注册资本由约27.5亿人民币增至约33.1亿人民币，增幅约20%。
资料显示，该公司成立于2015年12月，法定代表人为姜海涛，经营范围包括硅材料行业投资、集成电路行业投资、创业投资等，由上海国盛（集团）有限公司、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、上海嘉定工业区开发（集团）有限公司等共同持股。
据其披露的2025年年度报告，2025财年内，沪硅产业各子公司分别启动多项重点建设项目，聚焦300mm及200mm半导体（881121）硅片的技术能力提升与产能扩容，在300mm SOI硅片领域取得阶段性突破，主要产品已完成关键技术研发，进入量产落地与市场验证阶段。
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